Si prevede che la dimensione del mercato globale dei transistor bipolari a gate isolato (IGBT) raggiungerà i 10 miliardi di dollari entro il 2030

Secondo un rapporto di ricerca pubblicato da Spherical Insights & Consulting, il mercato globale dei transistor bipolari a gate isolato (IGBT) Si prevede che le dimensioni cresceranno a un tasso di crescita annuale composto (CAGR) del 9% nel periodo di previsione, da 5 miliardi di dollari nel 2021 a 10 miliardi di dollari nel 2030. La crescente adozione di dispositivi con transistor bipolare a gate isolato (IGBT) in vari settori, tra cui quello automobilistico, dell'elettronica di consumo, industriale, informatico e delle comunicazioni, medico, aerospaziale e della difesa, rappresenta un fattore chiave.

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I moduli di potenza a transistor bipolari con gate isolato fungono da dispositivi elettronici di potenza controllati in tensione grazie alla loro elevata frequenza di commutazione e sono ampiamente utilizzati nelle industrie ad alta tensione che richiedono perdite di conduzione inferiori. La crescita del mercato globale è guidata principalmente dalla crescente domanda di transistor bipolari a gate isolato [IGBT] da varie applicazioni come ferrovie, apparecchiature mediche, elettronica di consumo, energia e potenza, sistemi industriali, veicoli elettrici, UPS, inverter e azionamenti di motori. La crescente adozione di tecnologie come il crescente numero di veicoli elettrici e ibridi che utilizzano moduli IGBT richiede un livello più elevato di coerenza nell’uso di veicoli elettrici e ibridi elettrici rispetto a scopi commerciali generali. Secondo l’Edison Electric Institute (EEI), le vendite totali di veicoli elettrici nel 2021 sono aumentate del 35% rispetto al 2020. Si prevede che il mercato crescente dei veicoli elettrici e dei veicoli elettrici ibridi guiderà il mercato dei transistor bipolari a gate isolato [IGBT] durante il periodo di previsione. Inoltre, i transistor bipolari a gate isolato [IGBT] sono ampiamente adottati in sistemi rinnovabili su larga scala come impianti fotovoltaici, energia idroelettrica e turbine eoliche.

Si prevede che il segmento IGBT discreto registrerà un tasso di crescita più elevato nel periodo di previsione.

In base alla tipologia, il mercato globale dei transistor bipolari a gate isolato (IGBT) è segmentato in IGBT discreti e moduli IGBT. Tra questi, si prevede che il segmento IGBT discreto mostrerà un elevato tasso di crescita durante il periodo di previsione. Questo perché i vantaggi derivanti dall'elevata densità di corrente e dal basso consumo energetico degli IGBT discreti si traducono in una maggiore efficienza, dissipatori di calore più piccoli e costi complessivi del sistema inferiori.

Si prevede che il segmento ad alta potenza crescerà a un CAGR significativo nel periodo di previsione.

Il mercato globale dei transistor bipolari a gate isolato (IGBT) è segmentato in alta potenza, media potenza e bassa potenza in base alla potenza nominale. Tra questi, si prevede che il segmento ad alta potenza assisterà a una significativa crescita CAGR durante il periodo di previsione. Nelle applicazioni, gli IGBT ad alta potenza offrono capacità di trasporto di corrente, controllo del gate basato sulla tensione, ecc. Si prevede che il mercato ad alta potenza crescerà in modo esponenziale a causa della crescente adozione di applicazioni in diversi settori come quello automobilistico (EV/HEV), inverter/UPS, ferrovie ed energia rinnovabile.

Si prevede che il segmento automobilistico (EV/HEV) genererà i ricavi più elevati durante il periodo di previsione.

In base alla tipologia, il mercato globale dei transistor bipolari a gate isolato [IGBT] è segmentato in elettronica di consumo, energia e potenza, produzione industriale, settore automobilistico (EV/HEV), inverter/UPS, ferrovie, energie rinnovabili e altri. Tra questi, si prevede che il segmento dell’elettronica di potenza assisterà a un elevato tasso di crescita durante il periodo di previsione a causa dell’allentamento delle normative sulle emissioni di carbonio, e il mercato automobilistico si sta muovendo verso l’elettrificazione dei propulsori dei veicoli elettrici e ibridi (EV/HEV), che ridurrà significativamente le perdite di conduzione e di commutazione, che avranno un impatto diretto sull’efficienza complessiva.

 L'Asia Pacifico domina il mercato con la quota di mercato maggiore, pari al 53%.

L'Asia Pacifico domina il mercato con la quota di mercato maggiore, pari al 53%. Questa crescita nell’Asia del Pacifico è dovuta principalmente all’aumento delle vendite di veicoli elettrici e BEV, delle infrastrutture di ricarica e dei maggiori produttori di componenti elettronici. Si prevede che la crescente adozione dell’IoT industriale e dell’automazione industriale nel settore manifatturiero stimolerà la domanda di transistor bipolari con gate isolato. Si prevede che il Nord America crescerà più rapidamente durante il periodo di previsione. Allo stesso modo, si prevede che l’Europa dominerà il mercato dopo l’Asia Pacifico. L’Europa è stata la prima regione a implementare sistemi di trazione con transistor bipolari a gate isolato (IGBT) sulle ferrovie nel settore dei trasporti.

Sviluppi recenti

• Nel luglio 2020, Toshiba ha sviluppato un modello compatto che stima accuratamente il rumore e la perdita di potenza dovuti alle interferenze elettromagnetiche nei transistor bipolari a gate isolato (IGBT) e nei transistor a gate avanzato a iniezione (IEGT). Questo modulo riduce il tempo di simulazione e il tasso di errore del 95%.

• Nell'aprile 2021, Infineon Technologies AG ha lanciato la serie IGBT ibrida Cool SiC da 650 V che fornisce una tensione di blocco di 650 V. La serie IGBT ibrida combina i vantaggi di tecnologie come i diodi Cool SiC con barriera Schottky e l'IGBT TRENCHSTOP 5 da 650 V.

Segmento di mercato

Questo studio prevede le entrate globali, regionali e nazionali dal 2019 al 2030. Spherical Insights ha segmentato il mercato globale dei transistor bipolari a gate isolato [IGBT] in base ai seguenti segmenti:

Mercato dei transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per tipo

• IGBT discreto
• Modulo IGBT

Mercato dei transistor bipolari a gate isolato (IGBT) in base alla potenza nominale

• Alta potenza
• Rendimento medio
• Bassa potenza

Mercato dei transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per applicazione

• Elettrodomestici
• Energia e potere
• Produzione industriale
• Automobile (EV/HEV)
• Inverter/UPS
• Ferrovia
• Energia rinnovabile
• Altri

Mercato dei transistor bipolari a gate isolato (IGBT), analisi regionale

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